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BF1X LIMA HUESO MILLER-COLBURN

Código: HF44802Ref. Proveedor: BF1X 90,76 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI 10/.05 GLIDEPATH 21 MM.3U.

Código: CW54514Ref. Proveedor: 60022269 41,65 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI 25/ ONE FILE 21 MM.3U.

Código: CW54513Ref. Proveedor: 60022270 41,65 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI 40/04 FINISHER FILE 21 MM.

Código: CW54512Ref. Proveedor: 60022271 41,65 
Las limas HyFlex EDM cuentan con el conocido efecto de memoria controlada o CM. De esta forma se obtienen unas

HYFLEX CM NITI SEQUENCE 21 MM.

Código: CW54511Ref. Proveedor: 60011064 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI CROWN DOWN L 25 MM.

Código: CW54510Ref. Proveedor: 60018694 63,39 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX CM NITI CROWN DOWN M 25 MM.

Código: CW54509Ref. Proveedor: 60018693 63,39 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI FINISHER FILE 50/03 25MM

Código: CW54507Ref. Proveedor: 60019598 41,65 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI FINISHER FILE 60/02 25MM

Código: CW54506Ref. Proveedor: 60019599 41,65 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM NITI FINISHER FILE 40/04 25MM

Código: CW54505Ref. Proveedor: 60019597 41,65 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX CM NITI 25/06 25 MM.

Código: CW54504Ref. Proveedor: 60011075 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI 15/04 25 MM.

Código: CW54503Ref. Proveedor: 60011065 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI 25/04 21 MM.

Código: CW54502Ref. Proveedor: 60011052 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI 20/04 21 MM.

Código: CW54501Ref. Proveedor: 60011050 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI 15/04 21 MM.

Código: CW54500Ref. Proveedor: 60011049 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX EDM SHAPING SET SIMPLE 21 MM. 3U.

Código: CW54498-SRef. Proveedor: 60022267 41,65 
Las HyFlex GPF garantizan un conformado óptimo de la trayectoria de acceso gracias a su memoria controlada. Se caracterizan por

HYFLEX EDM SHAPING SET MAX CURVE 21 MM. 3U.

Código: CW54498-CRef. Proveedor: 60023494 41,65 
Contiene: 15/.03, 10/.05, 20/.05

HYFLEX EDM SHAPING SET MEDIUM 21 MM. 3U.

Código: CW54498-1Ref. Proveedor: 60022277 41,65 
Las HyFlex GPF garantizan un conformado óptimo de la trayectoria de acceso gracias a su memoria controlada. Se caracterizan por

HYFLEX EDM SECUENCIA OGSF SET 21 MM. 4U.

Código: CW54497Ref. Proveedor: 60036141 55,41 
Descripción no facilitada por el fabricante.

HYFLEX EDM 20/05 PREPARATION FILE 21 MM.

Código: CW54496-1Ref. Proveedor: 60022275 41,65 
Las limas HyFlex EDM cuentan con el conocido efecto de memoria controlada o CM. De esta forma se obtienen unas

HYFLEX CM NITI SECUENCIA 31 MM.

Código: CW54494-3Ref. Proveedor: 60018294 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del

HYFLEX CM NITI SECUENCIA 25 MM.

Código: CW54494Ref. Proveedor: 60011079 63,39 
Limas NITI preesterilizadas.Contenido: 25 mm (20/.04 25/.04 30/.04 40/.04 20/.06), 19 mm 25/.08.

HYFLEX EDM FINISHING SET 3U.

Código: CW54491Ref. Proveedor: 60019364 41,65 
Las limas de NiTi HyFlex EDM tienen propiedades totalmente nuevas gracias a su innovador proceso de fabricación con mecanizado por

HYFLEX CM NITI 30/04 25 MM.

Código: CW54489Ref. Proveedor: 60011068 63,39 
Las limas de NiTi HyFlex de memoria controlada se han elaborado utilizando un proceso exclusivo que controla la memoria del